Флагман Samsung Galaxy S7 будет представлен публике уже в начале следующего года. Ожидается, что устройство выйдет в двух модификациях — в основе первой станет лежать фирменный чип Exynos 8890, а вторая получит решение от Qualcomm, Snapdragon 820.
Последняя засветилась в бенчмарке Geekbench, где показала весьма впечатляющий результат — в одноядерном режиме гаджет набрал 2 456, а в многоядерном — 5 423 балла. Ранее мы уже видели, на что способен чип Exynos 8890 — его показатели составили 2 294 и 6 908 баллов соответственно.
Между тем, слухи об устройстве продолжают полниться. Если верить им, сейчас производитель работает над теплоотводными трубками, позволяющие избежать проблемы перегрева, которая значительно подмочила репутацию Qualcomm после выхода чипа Snapdragon 810. Также уточняется, что дизайн новинки станет не слишком отличаться от Samsung Galaxy S6 и все основные изменения будут внутренними. Чему верить — пока неизвестно. Нам остается лишь ждать официального анонса, который состоится 21 февраля. Опять же если верить слухам.
[via TechGrapple]